Южнокорейская компания Hynix Semiconductor официально объявила о разработке динамической памяти DRAM стандарта DDR4 на 2 Гбит, а также модуля ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module). В создании новой памяти применялся технический процесс 30 нм класса, а сам модуль DDR4 DRAM соответствует стандарту JEDEC.
Скорость новой модули памяти составляет 2400 МГц, емкость 2 ГБ, рабочее напряжение составляет всего 1,2 вольта. Новинка от Hynix обладает пропускной способностью до 19,2 ГБ/с при работе с 64-битным интерфейсом.
Как заявил компания Hynix — массовое производства DDR4 DRAM модулей памяти начнется во второй половине будущего года. Оперативная память такого типа представляет собой очень перспективное решение, отличающееся от предыдущих поколений более высокими частотными характеристиками (от 2133 до 4266 МГц) и низким энергопотреблением. Этим объясняется проявленный большой интерес к DDR4 компанией Samsung, представивший в рамках CES 2011 модули памяти DDR4 2133 МГц.
Источник: Hynix
