Хотя и компания IBM не делает преждевременных громких заявлений о том, что графен станет убийцей кремния в современной полупроводниковой индустрии, это не останавливает его учёных и специализированных инженеров от работ по созданию всё более мощных и быстрых графеновых транзисторов.
Недавно IBM представила на суд публики 155-ГГц графеновый транзистор, который превосходит предыдущий рекорд, поставленный ею же, когда с помощью графена был произведён 100-ГГц транзистор. Более того, в новом 155-ГГц транзисторе длина затвора составляла всего 40 нм, что на 8 раз меньше, чем в предыдущем 100-ГГц варианте. Новинка более мелкая и значительно быстрая чем предыдущая.
«Заказчиком» транзистора, которая будет использоваться как часть исследовательского проекта по созданию высокопроизводительных транзисторов, работающих на частоте радиоволн, является агентство передовых оборонных исследовательских проектов (DARPA) Министерства обороны США. По сути, в ближайшее время эти технологии вряд ли будут использоваться в домашних компьютерах — они предназначены для использования в боевых машинах будущего.
